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三菱电机日前宣布，将在截至2026年3月的五年时间内，将之前宣布的投资计划翻一番，达到约2600亿日元，主要用于建设一个新的晶圆工厂，以增加碳化硅（SiC）功率半导体产量。

根据该计划，三菱电机预计将应对电动汽车对SiC功率半导体快速增长的需求，并扩大新应用市场，例如低能量损失、高温操作或高速开关。据悉，增加的投资约1000亿日元，其中大部分将用于建设新的8英寸SiC晶圆厂，并加强相关生产设施。新工厂将在熊本县石井地区拥有一个自有设施，将生产大直径8英寸SiC晶圆，并引入一个具有最先进能源效率和高自动化生产效率的洁净室。另外，三菱电机还将加强其6英寸SiC晶圆的生产设施，以满足该领域不断增长的需求。

此外，三菱电机还将投资约100亿日元用于新工厂，该工厂将整合目前分散在福冈地区的现有业务，用于功率半导体的组装和检测。集设计、开发、生产工艺验证一体化，这将大大增强该公司的开发能力，便于及时量产应对市场需求。剩下的200亿日元全部是新投资，将用于设备改进、环境安排和相关运营。